龙头四连板！“光”之基石
2026-08-13 · 柏瑞创新
数据 支持 | 勾股大数据（www.gogudata.com） 光通信板块结束了长达一个月的大幅调整，终于迎来 了大反弹！ 但弹性更大、 修复最猛 的是更上游 —— 衬底、原料、稀有金属。 衬底缺口超七成，缺货预期沿产业链层层传导，盘面随之点燃。磷化铟的 紧缺剧本，上半年也曾在 A 股市场里演绎 。 云南锗业本周四连板 ， 有研新材三连板。三安光电、株冶集团
数据 支持 | 勾股大数据（www.gogudata.com）
光通信板块结束了长达一个月的大幅调整，终于迎来 了大反弹！
但弹性更大、 修复最猛 的是更上游 —— 衬底、原料、稀有金属。
衬底缺口超七成，缺货预期沿产业链层层传导，盘面随之点燃。磷化铟的 紧缺剧本，上半年也曾在 A 股市场里演绎 。
云南锗业本周四连板 ， 有研新材三连板。三安光电、株冶集团 、 海特高新等概念股集体跟涨。
磷化铟，怎么就成了光模块最大的掣肘
光模块代际升级带来的需求增量 呈现为 乘数级 的 放大 ，但在供给侧，漫长的扩产、 良率爬坡与客户认证周期 却 限制了扩张速度 。
每代 光模块 速率提升伴随芯片设计复杂度跃升，单位速率的衬底消耗面积呈加速扩张， 使得单只光模块的衬底用量 已偏离 " 速率翻倍、用量翻倍 " 的线性关系。
按东吴证券测算， 800G 光模块单只消耗约 0.02 片 InP 衬底； 1.6T 时代激光器通道数翻 数 倍，单片消耗升至 0.054 片； 3.2T 时代进一步提升至 0.11 片，较 1.6T 再翻一倍。
GPU 出货量增长的同时，单块 GPU 的光模块配置数量同步增加 ， 需求弹性显著放大 。据行业统计， 传统数据中心一台服务器配置 2-4 个光模块； AI 训练集群中， GPU 间互联带宽需求远超 CPU ，单台配比升至 1:2.5 以上 。
以及当下火热的硅光技术路线 。 LPO/CPO 方案取消传统 DSP 芯片后，光源仍采用 InP 基 CW 激光器，每个硅光模块至少配置一颗。薄膜铌酸锂仍处于实验室阶段，尚未进入量产替代窗口。
三层 需求 增量效应叠加， 产能很难一下子跟上 。 按 Omdia 与 Yole 的测算口径 ， 2026 年全球 InP 衬底需求约 260-300 万片（ 2 英寸当量），有效产能约 75 万片，缺口超过 70% 。至 2027 年，仅 1.6T 光模块规模化出货即可将总需求推升至 400 万片以上。
供需缺口之下，扩产成为必然选择。英伟达 曾在 官方博文中预测， 2026-2030 年全球 InP 晶圆需求将激增约 20 倍 。 Lumentum 在财报中预测， 2026-2030 年 AI 数据中心对 InP 衬底需求的年复合增长率约为 85% 。
据集邦咨询统计， 2026 年上半年，行业新增 13 个扩产项目，计划投资超 400 亿元，三十余家企业宣布涉足。
扩产意愿明确， 关键在于新增产能何时转化为有效出货。 建厂、工艺调试、良率爬坡、客户认证四个环节均以年为单位。
磷化铟属化合物半导体，单晶生长需在超过 1070℃ 的高温与约 27 个大气压的封闭环境中进行，单根晶棒生长周期以天计，无法像硅片那样通过提升拉速实现增产。
并且 工艺窗口极窄，任一参数波动均可能导致整根晶体报废。设备数量可以增加，但单炉生长时间与报废率无法压缩。
即便产线建成， 良率问题 仍是全行业共性难题。
半绝缘型 InP 衬底，需在晶体中掺入铁元素。铁在 1070℃ 高温下持续挥发，掺杂均匀性极难控制，径向电阻率偏差需控制在 3% 以内。
良率爬坡之后， 客户认证 构成下一道约束。
光模块厂商切换衬底供应商，需基于数十批次样品的一致性检验，覆盖不同炉次与季节条件下的稳定性验证。 据云南锗业披露， 6 英寸、 1.6T 级别的认证周期为 18-24 个月。 2026 年完成良率爬坡的新进入者，最早需至 2027 年下半年方可获得批量订单。
也就是说， 大规模投资已进入在建阶段，但 2027 年下半年之前，有效供给仍主要来自现有产线的满产运行与库存消耗。
下游厂商可等不住了，这一点从价格就得以呈现， 衬底与原料价格 都创下了 历史级涨幅 。
InP 衬底方面， 2 英寸产品 2025 年均价约 800 美元 / 片， 2026 年 4 月升至 2300-2500 美元，涨幅 187%-213% ，急单报价超过 3000 美元。 6 英寸产品均价较出口管制前上涨约 250% 。
上游精铟方面， 2026 年初价格 2960 元 / 公斤， 8 月已升至 5400 元以上，涨幅超过 82% 。
下游 客户 也在 通过大额定金、长协锁量、股权投资等方式锁定产能，核心诉求在于规避断供风险 。 上半年 ，股票 市场定价 完全 围绕产业供需矛盾展开。
8 月 3 日， Lumentum 的 CEO 在巴黎峰会公开预警， InP 供需 缺口超过存储芯片，高端激光器已全部售罄，预订排期已至 2028 年。
8 月之后，这一逻辑被地缘博弈因素重新定价。
更深层的变化在于出口管制的双向收紧。
中国方面，据商务部公告， 2025 年 2 月，磷化铟、三甲基铟等关键材料被纳入出口许可管制。 2026 年以来，据路透及行业报道，对日美出口的高纯铟审批通过率维持低位，出口实际收紧。
作为 InP 晶体的核心原料 供应商， 日本 NCI 、 RASA 两家高纯红磷供应商收紧对大陆 6N/7N 级红磷的发货，停止新增订单，压缩存量配额。 据 新华财经报道 , 全球高纯红磷市场由日本 NCI 与 RASA 两家主导 , 合计份额超过 80% 。
8 月 4 日，据路透报道， FCC 拟禁止中国厂商新型号光模块（ 1.6T/3.2T ）进入美国市场。
对此目前有多种不同的解读，实际影响我们要看最终的文本。但是大家都知道，美国本土短期内难以补齐这一供给缺口。中国厂商占全球光模块封装产能七成以上，全球前十大光模块厂商中七家为中国企业。
更深层的问题在于，中国在上游具备资源优势 ， 无论光模块由谁生产、在何地生产，上游的铟与高纯红磷均依赖中国的储量与产能。 这个事情 将博弈焦点从出口环节转向上游环节，进一步强化了紧缺逻辑 。
地缘博弈将供需缺口推升为战略问题，定价逻辑与 2023-2024 年稀土行情同构。
但 差别在于，稀土卡点在资源端， 磷化铟卡点在制造端。
需求与原料集中于中国，衬底与光芯片国产化率 仍处于低位 ， 缺口窗口期内，国产替代节奏是新一轮布局的关键变量。
从矿山到数据中心，磷化铟产业链可划分为五个环节。
铟与高纯红磷合成磷化铟多晶，多晶拉制成单晶衬底，衬底上生长外延层，外延片刻制为光芯片，芯片封装为光模块，最终进入 AI 数据中心。
每一环节均伴随价值递增， 集中度与国产化程度却存在显著差异。
上游原料端，中国掌握全球核心供给环节。中国伴生铟供给占全球约 70% ，高纯铟供给占比更高。下游光模块端，主力供应商均在中国。
衬底制造方面，据浙商证券统计，住友、 AXT 、 JX 三家合计占据约 90% 份额， 6 英寸衬底国产化率不足 5% 。光芯片环节，按行业统计口径， 25G 以上高速率芯片国产化率仅 4-5% ，高端 InP 光芯片由 Lumentum 与 Coherent 两家合计垄断八成以上份额。
这条链呈沙漏形态。原料由中国出口至海外衬底厂，衬底成品再售回中国光模块厂，两端环节掌握在中方手中，中游的制造利润与技术溢价则由海外厂商获取。
供需缺口的压力传导至中游，国产替代能否落地，首先取决于竞争格局中是否存在切入缝隙。
衬底环节的三寡头格局已持续近二十年，住友、 AXT 、 JX 三家合计约占全球 90% 份额，剩余部分中，中国厂商尚无可规模化的供给量。
住友电工为全球绝对龙头，按行业工艺对照口径， 6 英寸半绝缘型良率稳定在 95% 以上，约占全球 43% 份额。 AXT （通美）次之，据 AXT 财报，覆盖 2 至 6 英寸、导电型与半绝缘型的全产品线； JX 金属位列第三，占比约 13% 。
海外三巨头的扩产几乎全部落在 2027 年下半年之后，这一时间差构成国产厂商的切入窗口。寡头扩产尚未落地，市场需求已率先爆发，错配期内具备供货能力者，有望获得首批客户的试用量产订单，并借此进入供应链。
云南锗业 是国内唯一实现 6 英寸衬底批量出货的厂商，据公司公告及调研纪要，现有产能 15 万片 / 年（ 2-4 英寸）。 2026 年 4 月，公司公告投资 1.89 亿元扩建 30 万片 / 年产能，目标 2027 年 10 月达产，届时总产能将达 45 万片 / 年。
2026 年 7 月，据云南锗业公告，公司再签署 5.70-8.55 亿元长协，占 2025 年总营收的 53%-80% ，采用锁量不锁价模式，履约期至 2027 年底。
三安光电 的差异化在于垂直整合，衬底自用并不对外销售。据公司互动平台披露，其自研 6 英寸 InP 衬底月产约 600 片，外延片月产接近 6000 片， 800GEML 激光器芯片月产 5 万颗以上。
光芯片为衬底的下游环节，亦是国产替代链条的下一关键节点，衬底实现自主后，芯片环节的国产化随之提上议程。
光迅科技 是国内少数自建 MOCVD 产线的厂商，据公司披露及行业报道， 1.6T 硅光芯片已实现量产，高端 EML 激光器芯片处于研发推进阶段。
制造环节的国产替代，还 需要 设备层面的支撑。
衬底厂扩产计划能否按期兑现，设备交付与调试节奏是前置条件，而长晶炉等核心设备长期依赖进口。
据连城数控披露，其子公司连科半导体自主研发 VGF 磷化铟长晶炉，覆盖 4 英寸与 6 英寸量产需求， 6 英寸样机已完成开发，正在客户处工艺验证，预计 2026 年内小批量交付。 并且， 公司参股 的 青岛华芯晶电，与 AXT （通美晶体）合资供应磷化铟专用超高纯石英舟，该产品已完成两年以上客户认证。
切割环节，据宇晶股份 2026 年 6 月互动平台披露，其 12 英寸大硅片多线切割机及磷化铟切割设备研发进展正常推进。
除制造环节外， 上游资源端构成另一个布局看点 。 资源股的收益逻辑直接锚定原料价格，铟与红磷的供需缺口无论由谁填补中游制造，上游原料需求均具确定性。
先来看看，磷化铟两大核心原料的全球格局。
铟端，中国具备绝对资源禀赋，产量端更为集中。按行业统计口径， 2026 年全球原生铟总产量 1100 吨，中国产量 803 吨，占比 73% ，海外全部产量不足 300 吨，仅能满足海外衬底厂约 30% 的高纯铟需求，其余 70% 依赖中国进口。
铟线有直接标的。据公司披露及行业统计，锡业股份保有铟储量 4701-4821 吨，居全球首位， 2025 年生产精铟 119 吨，冶炼产能 105 吨 / 年， 2026 年预计产量降至 91.6 吨，受伴生矿产量波动影响。
虽然按照目前报价，铟价年内涨幅超过 82% ，对其利润形成确定的正向弹性，但铟在其营收中占比有限。
株冶集团为国内大型铅锌冶炼企业，铟回收量位居行业前列。据公司官方口径，其设计产能 60 吨 / 年，仅生产 4-5N 普通精铟，不涉及 7N ，亦无扩产计划，与磷化铟衬底产业链并无直接供应关系，其逻辑为纯资源价格弹性，铟价上涨直接受益。
磷化铟晶体对红磷的纯度要求为 7N （ 99.99999% ）。 据腾讯新闻行业测算，全球 7N 高纯红磷总有效产能约 480-520 吨，日系企业锁定 420 吨以上，每年能流通至中国市场数量少之又少。
电子级高纯红磷从 2024 年初每吨 4 万元，今年 7 月国内现货价升至 22 万元 / 吨，两年涨幅超过 450% 。
AI 光模块放量将 磷化铟 需求推升至现有产能之上，缺口短期难以弥合。
紧缺的另一面 ， 是国产替代的窗口。产业链两端强、中间弱，海外扩产落地靠后，国内 厂商获得切入机会，行情的敏感度随之抬升。
产业逻辑成立与投资回报实现之间，隔着产能落地、良率爬坡与订单确认的漫长过程。
7 月调整完成全球光通信的估值出清， 8 月反弹印证产业共识，连续涨停与资金追逐意味着拥挤度重新积聚。
但 兑现不及预期与估值透支， 也 是本轮最需防范的风险 ，尤其 北美光通信映射波动可能放大情绪，也可能造成 短期再度调整 。 （全文完）
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